[19a-B5-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

[19a-B5-3] MOCVDによる4インチSi(110)基板上へのGaN成長と評価

^○沈旭強，高橋言緒，井手利英，清水三聡 (産総研)

キーワード：窒化物