[19a-C8-1~12] 13.6 Siデバイス／集積化技術

[19a-C8-1] 「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）ランダムテレグラフノイズによる動的なゲート電圧印加中のSi MOSFETドレイン電流変動

^○馮ウェイ^1,2，山田啓作^1,2，大毛利健治^1,2 (筑波大¹，JST-CREST²)

キーワード：ランダムテレグラフノイズ,ドレイン電流変動,MOSFET