[19a-C8-1~12] 13.6 Siデバイス／集積化技術

△ [19a-C8-4] pMOSFETsにおけるチャネルへの歪印加によるランダム・テレグラフ・ノイズ低減の検討

^○陳杰智，東悠介，平野泉，三谷祐一郎 (東芝研発セ　)

キーワード：RTS ノイズ, 歪み, MOSFET