[19a-C8-1~12] 13.6 Siデバイス／集積化技術

△ [19a-C8-5] 高エネルギーイオンプローブを用いたSOI-SRAMソフトエラー発生率のBOX下生成電荷依存性

^○迫間昌俊¹，阿保智¹，若家冨士男¹，牧野高紘²，小野田忍²，大島武²，岩松俊明³，尾田秀一³，高井幹夫¹ (阪大極限センター¹，日本原研²，ルネサスエレクトロニクス³)

キーワード：SOI,ソフトエラー,高エネルギーイオンプローブ