[19a-C8-1~12] 13.6 Siデバイス／集積化技術

[19a-C8-9] 完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) SRAMセルの電源電圧0.4Vにおけるセル電流ばらつきの低減

^○水谷朋子¹，山本芳樹²，槇山秀樹²，篠原博文²，岩松俊明²，尾田秀一²，杉井信之²，平本俊郎¹ (東大生研¹，LEAP²)

キーワード：SOTB,SRAM,ばらつき