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一般セッション(ポスター講演)

13．半導体A（シリコン） » 13.5 Siプロセス技術

[19a-P5-1~14] 13.5 Siプロセス技術

2013年9月19日(木) 09:30 〜 11:30 P5 (デイヴィス記念館 )

09:30 〜 11:30

▲ [19a-P5-12] Electrical Characteristics of Ge/Si Hetero-Junction Tunnel Field-Effect Transistors and their Post Annealing Effects

^○（D）金ミンス，若林勇希，中根了昌，横山正史，竹中充，高木信一 (東大院工)

キーワード：TFET,Hetero-junction,MBE