[19a-P5-1~14] 13.5 Siプロセス技術

[19a-P5-13] エピタキシャル成長n⁺-Ge:Pの活性化率向上とTi電極との接触抵抗低減

^○守山佳彦^1,2，上牟田雄一¹，鎌田善己¹，池田圭司¹，竹内正太郎²，中村芳明²，酒井朗²，手塚勉¹ (産総研GNC¹，阪大基礎工²)

キーワード：Ge,in-situ doped epitaxy,コンタクト抵抗