09:30 〜 11:30
[19a-P7-7] フィールドプレートを有するイオン注入GaN-HEMT
キーワード：半導体,窒化ガリウム,HEMT
講演情報
一般セッション(ポスター講演)
14．半導体B（探索的材料・物性・デバイス） » 14.3 電子デバイス・プロセス技術
[19a-P7-1~14] 14.3 電子デバイス・プロセス技術
2013年9月19日(木) 09:30 〜 11:30 P7 (デイヴィス記念館 )
一般セッション(ポスター講演)
14．半導体B（探索的材料・物性・デバイス） » 14.3 電子デバイス・プロセス技術
2013年9月19日(木) 09:30 〜 11:30 P7 (デイヴィス記念館 )
09:30 〜 11:30
キーワード：半導体,窒化ガリウム,HEMT