[19a-P7-1~14] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

[19a-P7-6] p-GaN基板上MISFETの窒素イオン注入による素子分離

^○（M1）葛西駿，小川弘貴，中村徹 (法政大理工)

キーワード：GaN,素子分離,イオン注入