[19p-B4-1~21] 13.5 Siプロセス技術

△ [19p-B4-18] タングステン内包Siクラスター薄膜を用いたGeとの金属接合技術の開発

^○岡田直也^1,2，内田紀行²，金山敏彦^1,3 (筑波大院　電子・物理工¹，産総研ナノエレ部門²，産総研³)

キーワード：ショットキー,Ge,接触抵抗