[19p-B4-1~21] 13.5 Siプロセス技術

[19p-B4-21] SSRMを用いた極浅接合の活性化不純物分布評価（Ⅱ）

^○押秀徳¹，阿保智¹，若家冨士男¹，岩松俊明²，尾田秀一²，高井幹夫¹ (阪大極限量子科学研究センター¹，ルネサスエレクトロニクス²)

キーワード：アニール