[19p-B5-1~22] 15.4 III-V族窒化物結晶

[19p-B5-13] ＧａＮエピタキシャル膜中の転位とウエハダイシングプロセスの相関性

^○田口秀幸^1,3，北原周¹，三宅修吾¹，中上明光¹，鈴木敦志²，上山智²，藤原康文³ (コベルコ科研¹，名城大²，阪大³)

キーワード：ＧａＮ,転位,ダイシング