[19p-C8-1~18] 13.6 Siデバイス／集積化技術

△ [19p-C8-13] ソースドレイン直接トンネリングによるIII-V MOSFETの短チャネル化限界

^○（M1）大森正規¹，木場隼介¹，前川容佑¹，土屋英昭^1,3，鎌倉良成^2,3，森伸也^2,3，小川真人¹ (神戸大工¹，阪大工²，JST CREST³)

キーワード：ソースドレイン直接トンネリング,III-V MOSFET,ウィグナーモンテカルロ