[19p-C8-1~18] 13.6 Siデバイス／集積化技術

[19p-C8-16] MOS界面における変位ポテンシャル上昇が超薄膜チャネルMOSFETのドレイン電流に与える影響

^○木場隼介¹，石田良馬¹，久保田結子¹，土屋英昭^1,3，鎌倉良成^2,3，森伸也^2,3，小川真人¹ (神戸大工¹，阪大工²，JST CREST³)

キーワード：モンテカルロ法,音響フォノン,変形ポテンシャル