[19p-D7-1~17] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

△ [19p-D7-4] 高電流密度化にむけたInP ソースを有するIII–V–OI InGaAs MOSFET のチャネル厚依存性

^○大澤一斗，加藤淳，佐賀井健，金澤徹，上原英治，宮本恭幸 (東工大理工)

キーワード：InGaAs MOSFET,チャネル厚依存性