2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13.半導体A(シリコン) » 13.1 基礎物性・評価

[20a-C9-1~12] 13.1 基礎物性・評価

2013年9月20日(金) 09:00 〜 12:15 C9 (TC3 2F-202)

11:45 〜 12:00

[20a-C9-11] シリコン表面の酸化膜密度とエッチングレートの相関性評価

土井修平,蓮沼隆,山部紀久夫 (筑波大)

キーワード:酸化膜密度,酸化機構