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一般セッション(口頭講演)

13．半導体A（シリコン） » 13.1 基礎物性・評価

[20a-C9-1~12] 13.1 基礎物性・評価

2013年9月20日(金) 09:00 〜 12:15 C9 (TC3 2F-202)

10:45 〜 11:00

▼ [20a-C9-7] Analysis of Electrical Field in Surface Enhanced Raman Spectroscopy Using Strained-Si Substrate

^○シティノルヒダヤーチェモハマドユソフ，小瀬村大亮，木嶋隆浩，小椋厚志 (明治大理工)

キーワード：Strained-Si,Surface Enhanced Raman Spectroscopy,Stress