[20a-C9-1~12] 13.1 基礎物性・評価

[20a-C9-9] 結晶Ge極薄膜をシード層とするa-Siの固相成長

^○斎藤聡哲，半那純一 (東工大像情報)

キーワード：半導体,アモルファス,多結晶