[20p-B4-1~8] 13.5 Siプロセス技術

[20p-B4-2] Siナノワイヤ中のNiシリサイド成長速度 (1) 熱履歴依存性

^○山下広樹¹，鹿浜康寛¹，小杉山洋希¹，橋本修一郎¹，武井康平¹，孫静¹，松川貴²，昌原明植²，渡邉孝信¹ (早大理工¹，産総研²)

キーワード：ニッケルシリサイド,ナノワイヤ,熱履歴