[20p-B4-1~8] 13.5 Siプロセス技術

[20p-B4-3] Siナノワイヤ中のNiシリサイド成長速度 (2)　不純物濃度依存性

^○小杉山洋希¹，鹿浜康寛¹，山下広樹¹，橋本修一郎¹，武井康平¹，孫静¹，松川貴²，昌原明植²，渡邉孝信¹ (早大理工¹，産総研²)

キーワード：ニッケルシリサイド,ナノワイヤ,不純物濃度