一般セッション(ポスター講演)

[27p-PA1-1~5] 5.1 半導体レーザー・発光/受光素子

2013年3月27日(水) 13:30 〜 15:30 PA1 (第一体育館)

ポスター掲示時間13:30〜15:30(PA会場)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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[27p-PA1-1] HSQ及びPMMAトレンチ構造による一次元量子ドット配列 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○吉本和矢¹，羽柴秀臣² (日大理工(院)¹，日大量科研²)

[27p-PA1-2] Whispering-galleryモードセンサの断面形状最適化 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○竹澤晃弘¹，原口雅宣²，岡本敏弘²，北村充¹ (広大工¹，徳島大工²)

[27p-PA1-3] 自己電気光学効果を利用した波長選択受光素子 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○坂口浩一郎，河原浩平，福嶋丈浩，徳田安紀 (岡山県立大)

[27p-PA1-4] ▲Effects of Solvent Mixtures on Nanoscale Phase Separation and Photovoltaic Efficiency of Mesogenic - Phthalocyanine - Based Bulk Heterojunction Solar Cell (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○Quang Duy Dao¹，Tetsuro Hori¹，Tetsuya Masuda¹，Kaoru Fukumura¹，Toshiya Kamikado¹，Akihiko Fujii¹，Yo Shimizu²，Masanori Ozaki¹ (阪大院¹，産総研ユビキタス²)

[27p-PA1-5] ▲Stability of Mesogenic - Phthalocyanine - Based Bulk Heterojunction Solar Cell (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○Quang Duy Dao¹，Tetsuro Hori¹，Tetsuya Masuda¹，Kaoru Fukumura¹，Toshiya Kamikado¹，Akihiko Fujii¹，Yo Shimizu²，Masanori Ozaki¹ (阪大院¹，産総研ユビキタス²)

一般セッション(口頭講演)

[29a-B4-1~11] 5.1 半導体レーザー・発光/受光素子

2013年3月29日(金) 10:00 〜 13:00 B4 (K2号館 3F-1308)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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[29a-B4-1] ▲Silica High-Mesa Waveguide for Infrared Sensing (10:00 AM ～ 10:15 AM)

^○Jiao Chen，外薗裕仁，中島大介，浜本貴一 (九大)

[29a-B4-2] LPE成長低補償比GaAsを用いた遠赤外検出器の試作及び評価 (10:15 AM ～ 10:30 AM)

^○西本智一¹，横山義人²，村上浩³，阿部治¹，若木守明² (日本分光¹，東海大工²，ISAS/JAXA³)

[29a-B4-3] InP基板上type-II InAs/GaSb超格子を用いた中赤外センサ (10:30 AM ～ 10:45 AM)

^○三浦広平^1,2，猪口康博¹，河村裕一²，室岡純平³，片山晴善³，菅野翔太⁴，竹川智子⁴，木股雅章⁴ (住友電工¹，大阪府大²，ＪＡＸＡ³，立命大⁴)

[29a-B4-4] 歪み緩和層の構造設計による量子ドット赤外線検出器の検出波長制御 (10:45 AM ～ 11:00 AM)

^○各務惣太^1,2，五十嵐悠一^1,2，渡邉克之²，白根昌之^1,2，大河内俊介²，萬伸一^1,2，荒川泰彦^2,3 (ＮＥＣスマエネ研¹，東大ナノ量子機構²，東大生研³)

[29a-B4-5] 急速熱アニールによる量子ドット赤外線検出器の検出波長制御 (11:00 AM ～ 11:15 AM)

^○五十嵐悠一^1,2，各務惣太^1,2，渡邉克之²，白根昌之^1,2，大河内俊介²，萬伸一^1,2，荒川泰彦^2,3 (ＮＥＣスマエネ研¹，東大ナノ量子機構²，東大生研³)

[29a-B4-5.1] 休憩(15分)

[29a-B4-6] コヒーレントレシーバの小型化に適したMIMキャパシタ集積InP系導波路型PD (11:30 AM ～ 11:45 AM)

^○増山竜二，八木英樹，井上尚子，大西裕，勝山智和，菊地健彦，米田昌博，小路元 (住友電工)

[29a-B4-7] 二酸化チタン保護層を導入したプラスチック基板上色素増感太陽電池の低温作製 (11:45 AM ～ 12:00 AM)

^○安福拓真¹，江坂孝輔²，大西祐希²，山村朋之²，曽我哲夫^1,2，岸直希^1,2 (名工大電気電子工¹，名工大未来材料創成工²)

[29a-B4-8] 液体ガラスを用いた量子構造混晶化の面発光レーザへの適用性に関する研究 (12:00 PM ～ 12:15 AM)

^○阿久津友宏，牛尾拓也，松谷晃宏，宮本智之 (東工大)

[29a-B4-9] ▲Design and Fabrication of InGaAs Quantum Well Circular-Grating-Coupled Surface Emitting Laser (12:15 PM ～ 12:30 AM)

Ashim Saha，Takashi Sumitani，^○上向井正裕，Toshiaki Suhara (Osaka Univ.)

[29a-B4-10] △選択的反導波クラッド層を設けた非対称リッジ型半導体レーザーにおけるメサ幅依存性 (12:30 PM ～ 12:45 AM)

^○（M1）檜垣将広，沼居貴陽 (立命大院理工)

[29a-B4-11] 横方向回折格子を設けたリッジ型半導体レーザーにおけるメサ幅依存性 (12:45 PM ～ 1:00 PM)

^○福屋準，沼居貴陽 (立命大院理工)

一般セッション(口頭講演)

[29p-B4-1~15] 5.1 半導体レーザー・発光/受光素子

2013年3月29日(金) 14:00 〜 18:15 B4 (K2号館 3F-1308)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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[29p-B4-0] 昼食(60分)

[29p-B4-1] 「第10回光・電子集積技術業績賞（林厳雄賞）受賞記念講演」（30分）
光電子集積に向けたナノ共振器レーザの研究 (2:00 PM ～ 2:30 PM)

^○松尾慎治 (NTTフォトニクス研究所主幹研究員)

[29p-B4-2] ｢講演奨励賞受賞記念講演｣（15分）
AlGaInAs系DRレーザアレイの25.8 Gbps直接変調による10 kmシングルモードファイバ伝送 (2:30 PM ～ 2:45 PM)

^○植竹理人，下山峰史，奥村滋一，松田学，江川満，山本剛之 (富士通研)

[29p-B4-3] △発振波長の低温度依存性を有する光励起GaAs_1-xBi_xレーザの長波長化 (2:45 PM ～ 3:00 PM)

^○冬木琢真，吉本昌広 (京工繊大)

[29p-B4-4] GaAs基板上1.3 μm帯メタモルフィックInGaAs量子井戸レーザによる低駆動電流直接変調動作 (3:00 PM ～ 3:15 PM)

^○荒井昌和，小林亘，神徳正樹 (NTTフォトニクス研)

[29p-B4-5] △GaInAsP/InP半導体薄膜レーザの室温連続動作 (3:15 PM ～ 3:30 PM)

^○土居恭平¹，進藤隆彦¹，二見充輝¹，李智恩¹，山原佳晃¹，平谷拓生¹，井上大輔¹，楊書¹，雨宮智宏²，西山伸彦¹，荒井滋久^1,2 (東工大電気電子工学¹，東工大量子ナノ²)

[29p-B4-6] △半導体薄膜光集積に向けたOMVPEによるGaInAsPのButt-Joint再成長 (3:30 PM ～ 3:45 PM)

^○井上大輔¹，李智恩¹，進藤隆彦²，二見充輝¹，土居恭平¹，雨宮智宏²，西山伸彦¹，荒井滋久^1,2 (東工大電気電子工¹，東工大量子ナノ²)

[29p-B4-7] △オンチップ光配線に向けた半導体薄膜レーザの低消費電力構造の検討 (3:45 PM ～ 4:00 PM)

^○進藤隆彦¹，土居恭平²，二見充輝²，雨宮智宏¹，西山伸彦²，荒井滋久^1,2 (東工大量子ナノ¹，東工大電気電子工学専攻²)

[29p-B4-8] △GaInAsP/InP半導体薄膜レーザの低消費電力動作に向けた構造設計 (4:00 PM ～ 4:15 PM)

^○平谷拓生¹，進藤隆彦²，雨宮智宏²，西山伸彦¹，荒井滋久^1,2 (東工大電気電子工学専攻¹，東工大量子ナノ²)

[29p-B4-8.1] 休憩(15分)

[29p-B4-9] 選択成長およびダブルキャップ法を用いたInAs量子ドットアレイLEDのフラットトップスペクトル (4:30 PM ～ 4:45 PM)

^○吉川翔平，三枝智充，岩根優人，山内雅之，下村和彦 (上智大理工)

[29p-B4-10] 低消費電力駆動単一モード量子カスケードレーザ (4:45 PM ～ 5:00 PM)

^○道垣内龍男¹，伊藤昭生²，藤田和上¹，古田慎一¹，枝村忠孝¹，山西正道¹ (浜松ホトニクス中研¹，浜松ホトニクス²)

[29p-B4-11] ▲Ge量子ドットを有する導波路結合マイクロディスクの室温エレクトロルミネッセンス (5:00 PM ～ 5:15 PM)

^○徐学俊，千葉太一，丸泉琢也，白木靖寛 (都市大総研)

[29p-B4-12] 高濃度G-center導入Siの蛍光の動的挙動 (5:15 PM ～ 5:30 PM)

^○（D）大村史倫¹，村田晃一^2,3，安武裕輔¹，三木一司^2,3，深津晋¹ (東大院総合¹，物材機構²，筑波大院数物³)

[29p-B4-13] △半導体光増幅器におけるS/N比の検討 (5:30 PM ～ 5:45 PM)

^○樋口和貴，武内伸仁，山田実，桑村有司 (金沢大自)

[29p-B4-14] ▲Numerical Analysis of Suppression Effects on Optical Feedback Noise by Superposition of High Frequency Current in Semiconductor Lasers (5:45 PM ～ 6:00 PM)

^○（D）Sazzad Imran，Minoru Yamada (金沢大自)

[29p-B4-15] 発散球面波を用いたセルフポンプ位相共役鏡 (6:00 PM ～ 6:15 PM)

^○覺野重誠，向井孝彰，岩崎直紀，井上誠，宮崎大介 (大阪市立大院)

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