[28a-G11-1~9] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

[28a-G11-4] △AlGaN/GaN MOS-HEMTの電気特性とヘテロMOS界面評価 (10:45 AM ～ 11:00 AM)

^○堀祐臣¹，谷田部然治¹，橋詰保^1,2 (北大量集センター¹，JST-CREST²)

キーワード：AlGaN、MOS、界面