[28a-G22-1~13] 15.6 IV族系化合物

[28a-G22-9] △4H-SiC Si面微傾斜基板のin-situエッチング条件の検討 (11:15 AM ～ 11:30 AM)

^○升本恵子^1,2，児島一聡^1,2，伊藤佐千子^1,2，田村謙太郎^1,3，奥村元^1,2 (FUPET¹，産総研²，ローム³)

キーワード：SiC、エピタキシャル、微傾斜