2013年 第60回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13.半導体A(シリコン) » 13.3 絶縁膜技術

[28p-G2-1~16] 13.3 絶縁膜技術

2013年3月28日(木) 14:30 〜 18:45 G2 (B5号館 1F-2102)

[28p-G2-12] △低温・超低損傷中性粒子ビーム酸化を用いたAl2O3/GeOx/Ge構造の形成 (5:30 PM ~ 5:45 PM)

和田章良1,2,中山大樹1,Rui Zhang3,高木信一3,寒川誠二1,4 (東北大流体研1,東北大μSIC2,東大院工3,東北大WPI-AIMR4)

キーワード:中性粒子ビーム、酸化技術、Geプロセス技術