[28p-G2-1~16] 13.3 絶縁膜技術

[28p-G2-13] ▲Ge p- and n-MOSFETの高電界領域での移動度劣化機構の解析 (5:45 PM ～ 6:00 PM)

^○（P）張睿，黄博勤，林汝静，竹中充，高木信一 (東大院工)

キーワード：germanium, mobility, interface states