[28p-G2-14] ▲原子層平坦GeOx/Ge界面によるGe MOSFETsの高電界領域移動度の向上 (6:00 PM ~ 6:15 PM)
キーワード:germanium、mobility、interface roughness
一般セッション(口頭講演)
13.半導体A(シリコン) » 13.3 絶縁膜技術
2013年3月28日(木) 14:30 〜 18:45 G2 (B5号館 1F-2102)
キーワード:germanium、mobility、interface roughness