[28p-G2-1~16] 13.3 絶縁膜技術

[28p-G2-4] Ge-MOSキャパシタの正確な界面準位密度評価：一定温度DLTS (3:15 PM ～ 3:30 PM)

^○中島寛¹，王冬²，山本圭介^1,3 (九大産学連携センター¹，九大総理工²，学振特別研究員³)

キーワード：MOS, MIS、DLTS、interface state density