[29p-G16-1~21] 15.8 結晶評価，ナノ不純物・結晶欠陥

[29p-G16-13] △表層酸素濃度が制御されたSiウェーハのデバイス活性領域における転位挙動 (4:45 PM ～ 5:00 PM)

^○（B）浅津宏伝¹，竹内正太郎¹，山内宏哉¹，須藤治生²，荒木浩司²，中村芳明^1,3，泉妻宏治²，酒井朗¹ (阪大院基礎工¹，グローバルウェーハズ・ジャパン²，PRESTO-JST³)

キーワード：Si wafer、格子欠陥、転位