[29p-PB1-1~20] 13.3 絶縁膜技術

[29p-PB1-11] 原子層堆積 (ALD) 法を用いたLa₂O₃/In_0.53Ga_0.47As界面特性の向上 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○大嶺洋¹，Zade Darius¹，鈴木佑哉¹，角嶋邦之²，Ahmet Parhat¹，片岡好則²，西山彰²，杉井信之²，筒井一生²，服部健雄¹，名取研二¹，岩井洋¹ (東工大フロンティア研¹，東工大院総理工²)

キーワード：La2O3、InGaAs、ALD