[29p-PB1-1~20] 13.3 絶縁膜技術

[29p-PB1-14] AR-XPSによる異なる酸化雰囲中のIn_0.53Ga_0.47Asの初期酸化過程の評価 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○櫻井拓也¹，沼尻侑也¹，山下晃司¹，ダリュ－シュ ザデ²，角嶋邦之³，岩井洋²，野平博司¹ (東京都市大工¹，東工大フロンティア研²，東工大総理工³)

キーワード：AR-XPS、初期酸化過程、In0.53Ga0.47As