2013年 第60回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(ポスター講演)

13.半導体A(シリコン) » 13.3 絶縁膜技術

[29p-PB1-1~20] 13.3 絶縁膜技術

2013年3月29日(金) 13:30 〜 15:30 PB1 (第二体育館)

[29p-PB1-6] SiO2及びGeO2結晶とアモルファスの機械的性質に関する第一原理解析 (1:30 PM ~ 3:30 PM)

○(M1)細川貴弘1,末岡浩治1,荒木浩司2,泉妻宏治2 (岡山県立大1,グローバルウェーハ社2)

キーワード:絶縁膜、機械的性質、第一原理計算