[29p-PB1-1~20] 13.3 絶縁膜技術

[29p-PB1-9] 酸化アニールによる多結晶HfO₂の同一箇所2次元リーク電流分布変化 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○下田恭平¹，蓮沼隆¹，山部紀久夫¹，右田真司² (筑波大　数理物質科学¹，産総研²)

キーワード：HfO2、high-k、結晶