[19a-A17-1~12] 13.2 絶縁膜技術

2014年9月19日(金) 09:00 〜 12:30 A17 (E308)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

09:00 〜 09:15

▼ [19a-A17-1] Evidence for Si up-diffusion during scavenging of interfacial SiO₂ in HfO₂/SiO₂/Si stack

^○（D）李秀妍，矢嶋赳彬，西村知紀，長汐晃輔，鳥海明 (東大工)

09:15 〜 09:30

^○西村知紀，矢嶋赳彬，長汐晃輔，鳥海明 (東大院工)

09:30 〜 09:45

^○志村昂亮¹，橋口誠広¹，功刀遼太¹，小椋厚志^3,5，佐藤真一^4,5，渡邉孝信^1,2,5 (早大理工¹，早大ナノ機構²，明大理工³，兵庫県立大⁴，JST-CREST⁵)

09:45 〜 10:00

^○福井僚¹，中村嘉基¹，角嶋邦之²，片岡好則²，西山彰²，若林整²，杉井信之²，筒井一生²，名取研二¹，岩井洋¹ (東工大フロンティア¹，東工大総理工²)

10:00 〜 10:15

^○中崎靖，諸田美砂子，高島章，加藤弘一，三谷祐一郎 (東芝研開セ)

休憩10:15～10:30 (10:15 〜 10:30)

10:30 〜 11:00

^○諏訪智之¹，寺本章伸¹，熊谷勇喜¹，阿部健一¹，李翔¹，中尾幸久¹，山本雅士²，野平博司³，室隆桂之4⁴，木下豊彦⁴，須川成利¹，大見忠弘¹，服部健雄¹ (東北大¹，ステラケミファ²，都市大³，JASRI⁴)

11:00 〜 11:15

^○森谷真帆^1,3，天野裕士^2,3，小林大輔³，山本知之¹，廣瀬和之³ (早大理工¹，東京都市大²，宇宙研³)

11:15 〜 11:30

^○若尾周一郎^1,2，廣瀬和之²，小林大輔²，山本知之¹ (早大理工¹，宇宙研²)

11:30 〜 11:45

^○藤井章輔，草井悠，佐久間究，小山正人 (東芝)

11:45 〜 12:00

^○藤川雄太，上野智雄，岩崎好孝 (東京農工大工)

12:00 〜 12:15

^○菱谷大輔¹，堀田昌宏^1,2，石河泰明^1,2，渡辺陽介³，池上浩³，浦岡行治^1,2 (奈良先端大¹，CREST²，九大³)

12:15 〜 12:30

^○（D）蔡偉立^1,2，竹中充^1,2，高木信一^1,2 (東大院工¹，JST-CREST²)