シンポジウム(口頭講演)

[19a-C5-1~10] 窒化物半導体特異構造の科学〜物性評価と結晶学の構築へ〜

2014年9月19日(金) 08:30 〜 11:45 C5 (オープンホール)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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08:30 〜 09:00

[19a-C5-1] 窒化物半導体の発光機構解明と制御（30分）

^○川上養一，船戸充，石井良太 (京大院工)

09:00 〜 09:15

[19a-C5-2] m面自立基板上のInGaN量子井戸層からの発光特性

^○栗原香¹，長尾哲¹，山口敦史² (三菱化学¹，金沢工大²)

09:15 〜 09:30

△ [19a-C5-3] In組成の空間的ゆらぎが非極性InGaN量子井戸の偏光特性へ及ぼす影響

^○坂井繁太¹，山口敦史¹，栗原香²，長尾哲² (金沢工大¹，三菱化学²)

09:30 〜 09:45

[19a-C5-4] 規則配列ナノコラムLEDにおけるフォトニック結晶効果

^○司馬大次郎¹，柳原藍¹，石沢峻介¹，岸野克巳^1,2 (上智理工¹，上智ナノテク研究センター²)

09:45 〜 10:00

[19a-C5-5] 局在プラズモンを用いたInGaN系LEDの作製と評価

^○塚田哲朗¹，岡田成仁¹，只友一行¹，岡本晃一²，立石和隆² (山口大¹，九大²)

休憩10:00～10:15 （10:00 〜 10:15）

10:15 〜 10:45

[19a-C5-6] フェムト秒集束パルス電子線を用いた特異構造界面の発光ダイナミクス解析（30分）

^○秩父重英，石川陽一，山崎芳樹，小島一信 (東北大多元研)

10:45 〜 11:00

[19a-C5-7] GaN/AlGaN界面ゆらぎ量子ドットにおける励起子微細構造分裂の観測

^○有田宗貴¹，壹岐太一²，加古敏²，荒川泰彦^1,2 (東大ナノ量子機構¹，東大生研²)

11:00 〜 11:15

△ [19a-C5-8] レーザーリフトオフ技術によるGaN 基板を剥離した近紫外LED

^○飯田大輔¹，河合俊介¹，土屋貴義¹，江間伸明¹，岩谷素顕¹，竹内哲也¹，上山智¹，赤﨑勇^1,2 (名城大理工¹，名大・赤﨑記念研究センター²)

11:15 〜 11:30

[19a-C5-9] 高Al組成p-AlGaNコンタクト層を用いた深紫外発光ダイオード

^○定昌史，前田哲利，平山秀樹 (理研)

11:30 〜 11:45

△ [19a-C5-10] Ga-Alフラックスを用いたAlN液相成長法における炭素添加の影響

^○安達正芳¹，関谷竜太¹，杉山正史²，飯田潤二²，福山博之¹ (東北大多元研¹，住友金属鉱山²)

シンポジウム(口頭講演)

[19p-C5-1~12] 窒化物半導体特異構造の科学〜物性評価と結晶学の構築へ〜

2014年9月19日(金) 13:15 〜 18:00 C5 (オープンホール)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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昼食11:45～13:15 （11:45 〜 13:15）

13:15 〜 13:45

[19p-C5-1] 陽電子による結晶特異構造中の点欠陥の光応答性と局所電界の評価（30分）

^○上殿明良¹，石橋章司²，大島永康³，鈴木良一³，角谷正友⁴，Tomas Palacios⁵ (筑波大数理¹，産総研ナノシステム²，産総研計測フロンティア³，物材機構⁴，MIT EECS⁵)

13:45 〜 14:15

[19p-C5-2] 窒化物半導体結晶特異構造の構造解析評価－マルチスケール評価へのアプローチ－（30分）

^○酒井朗¹，竹内正太郎¹，中村芳明¹，三宅秀人²，平松和政²，今井康彦³，木村滋³ (阪大院基礎工¹，三重大院工²，JASRI/SPring-8³)

14:15 〜 14:30

[19p-C5-3] III族原料流量変調エピタキシによるヒルロックフリー窒素極性GaN(000-1)薄膜の成長

^○赤坂哲也，林家弘，山本秀樹 (日本電信電話)

14:30 〜 14:45

[19p-C5-4] 非晶質基板上への窒化物薄膜成長におけるグラフェンバッファー層の効果

孫政佑¹，石井辰典¹，^○太田実雄¹，小林篤¹，上野耕平¹，藤岡洋^1,2 (東大生研¹，JST-CREST²)

14:45 〜 15:00

[19p-C5-5] RF-MBE法によるα-In2O3/Sapphire上への窒化物半導体成長

^○荒木努¹，増田直¹，小林知樹¹，名西憓之¹，織田真也²，人羅俊実² (立命館大¹，ROCA²)

休憩15:00～15:15 （15:00 〜 15:15）

15:15 〜 15:45

[19p-C5-6] 混晶局在系における励起子多体効果（30分）

^○山田陽一 (山口大院・理工)

15:45 〜 16:15

[19p-C5-7] 赤外分光によるキャリアダイナミクスおよび結晶特異構造評価（30分）

^○石谷善博，森田健，馬蓓 (千葉大工)

16:15 〜 16:30

[19p-C5-8] AlNのPLスペクトルにおける特異なピークの起源II

^○石井良太，船戸充，川上養一 (京大院工)

16:30 〜 16:45

△ [19p-C5-9] GaNナノワイヤ量子ドットからの最大励起子分子束縛エネルギーの観測

^○ギヒョンチェ¹，Mark Holmes¹，加古敏²，有田宗貴¹，荒川泰彦^1,2 (東大ナノ量子機構¹，東大生研²)

休憩16:45～17:00 （16:45 〜 17:00）

17:00 〜 17:15

[19p-C5-10] イオンビームアシストMBEによる立方晶BN(111)薄膜の高品質化

^○平間一行，谷保芳孝，狩元慎一，山本秀樹 (NTT物性研)

17:15 〜 17:30

[19p-C5-11] 大電流駆動用(-201)β-Ga2O3基板上InGaN系LED

^○飯塚和幸¹，鈴木理紀也¹，小石川結樹¹，脇本大樹¹，梅村沙織¹，後藤健¹，森島嘉克¹，倉又朗人¹，山腰茂伸¹，蘇英陽²，沈豫俊²，劉家呈² (タムラ製作所¹，エピスター²)

17:30 〜 18:00

[19p-C5-12] 窒化物半導体の界面制御とナノラミネート特異構造を用いた電子デバイスの開発（30分）

^○小出康夫，井村将隆，劉江偉，廖梅勇 (物材機構)

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