一般セッション(ポスター講演)

[17p-PB1-1~5] 9.3 ナノエレクトロニクス

2014年9月17日(水) 13:30 〜 15:30 PB1 (第2体育館)

ポスター掲示時間13:30～15:30(PB1会場)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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13:30 〜 15:30

[17p-PB1-1] 金属梁構造における共振現象のトンネル電流による観察

^○東康男，真島豊 (東工大応セラ)

13:30 〜 15:30

[17p-PB1-2] 環状単電子振動子アレイにおける確率共鳴

^○（M2）大竹央将¹，石村憲意²，浅井哲也²，大矢剛嗣¹ (横国大院工¹，北大院情報²)

13:30 〜 15:30

[17p-PB1-3] 単電子蟻情報処理回路の応用設計

^○（M2）小尾勇志，大矢剛嗣 (横国大院工)

13:30 〜 15:30

[17p-PB1-4] 軍隊ガ二の挙動に学ぶ単電子論理回路の設計

^○浜名良樹，今野和樹，大矢剛嗣 (横国大院工)

一般セッション(口頭講演)

[19a-A7-1~7] 9.3 ナノエレクトロニクス

2014年9月19日(金) 10:00 〜 11:45 A7 (E206)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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13:30 〜 15:30

[17p-PB1-5] 熱雑音を利用するニューロン構造に学ぶ単電子信号伝搬の高速化

^○（M1）平島諒，大矢剛嗣 (横国大院工)

10:00 〜 10:15

[19a-A7-1] Ni-ベンゼンジチオール-Ni接合の熱起電力の第一原理計算

^○大戸達彦，See Kei Lee，山田亮，夛田博一 (阪大院基礎工)

10:15 〜 10:30

[19a-A7-2] 銅フタロシアニン誘導体を添加した銀微粒子単電子トランジスタにおける光応答特性

^○山本真人¹，大岩さゆり²，篠原修平²，玉田薫²，上田里永子³，照井通文³，石井久夫^1,4，野口裕⁵ (千葉大融合¹，九大先導研²，情通研未来³，千葉大先進⁴，明治大理工⁵)

10:30 〜 10:45

[19a-A7-3] サブミクロンAl接合を用いたdc-SQUIDの量子干渉パターンに見られる古典的理論との差異

^○三浦晃司，菊池健人，島田宏，水柿義直 (電通大院)

10:45 〜 11:00

[19a-A7-4] 微小なAl/AlO_x/V接合を用いた超伝導単一電子トランジスタ

^○宮脇健至，水柿義直，島田宏 (電通大先進理工)

11:00 〜 11:15

▼ [19a-A7-5] Numerical Demonstration of Single-Electron Inverter with Input Discretizer

^〇Huong Tran，Hiroshi Shimada，Yoshinao Mizugaki (UEC for the University of Electro-Communications)

11:15 〜 11:30

[19a-A7-6] 粘菌型解探索システムにおける自発的解探索の検討

^○若宮遼¹，葛西誠也¹，青野真士²，成瀬誠³，巳波弘佳⁴ (北大量集センター¹，東工大地球生命研²，NICT光ネット研³，関学大工⁴)

11:30 〜 11:45

△ [19a-A7-7] 非対称ゲートGaAsナノワイヤ電子ブラウンラチェット特性の構造依存性

^○阿部遊子^1,2，田中貴之^1,2，葛西誠也^1,2 (北大院情報科学¹，北大量子集積センター²)

一般セッション(口頭講演)

[19p-A7-1~13] 9.3 ナノエレクトロニクス

2014年9月19日(金) 13:15 〜 16:45 A7 (E206)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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昼食11:45～13:15 （11:45 〜 13:15）

13:15 〜 13:30

[19p-A7-1] 単一分子トランジスタにおけるTHzフォトンアシステッドトンネル効果（２）

^○吉田健治¹，柴田憲治²，平川一彦¹ (東大生研・ナノ量子機構¹，東北工大²)

13:30 〜 13:45

[19p-A7-2] RF駆動による高速FETセンサ

^○西口克彦¹，山口浩司¹，藤原聡¹，Herre Zant²，Gary Steele² (NTT物性研¹，Delft Univ. of Tech.²)

13:45 〜 14:00

▲ [19p-A7-3] Fabrication and Characterization of Ge/Si Core/Shell Nanowire Based Devices Towards a Hole Spin Qubit

^〇Rui Wang¹，Kenji Wada^1,4，Russell S. Deacon^1,2，Naoki Fukata³，Koji Ishibashi^1,2 (RIKEN¹，RIKEN-CEMS²，NIMS-MANA³，Chiba Univ.⁴)

14:00 〜 14:15

[19p-A7-4] ナノデバイス構造での不純物相関の電子輸送特性への影響

^○Muhammad Restu Zulhidza，植田暁子，本多周太，吉田勝尚，佐野伸行 (筑波大数物)

14:15 〜 14:30

[19p-A7-5] エレクトロマイグレーションによるCuナノギャップ電極の作製と応用

^○米坂瞭太，越智隼人，村上暢介，有田正志，高橋庸夫 (北大院情報)

14:30 〜 14:45

[19p-A7-6] 金属酸化膜を利用した狭ナノギャップ電極の作製

^○尾上俊樹，吉田健治，平川一彦 (東大生研・ナノ量子機構)

休憩14:45～15:00 （14:45 〜 15:00）

15:00 〜 15:15

[19p-A7-7] 金ナノギャップ電極を用いた亜鉛ポルフィリン分子のメモリ動作

^○小林祥希¹，大沼悠人¹，浜田翔悟¹，藤田泰弘¹，多田宰¹，田中大介²，坂本雅典²，寺西利治²，真島豊¹ (東工大応セラ研¹，京大化研²)

15:15 〜 15:30

[19p-A7-8] ナノ粒子単電子トランジスタにおけるフローティングゲートメモリ効果

^○東康男¹，青山詠樹¹，加納伸也¹，田中大介²，坂本雅典²，寺西利治²，真島豊¹ (東工大応セラ¹，京大化研²)

15:30 〜 15:45

[19p-A7-9] Niナノギャップを用いた通電による抵抗スイッチング効果の動作パラメータの検討

^○滝川主喜，伊藤光樹，森原康平，豊中貴大，白樫淳一 (東京農工大院工)

15:45 〜 16:00

[19p-A7-10] エレクトロマイグレーションを用いたAuナノチャネルのコンダクタンス制御とMass TransportのAFM実時間観察

^○八木麻実子，齋藤孝成，白樫淳一 (東京農工大院工)

16:00 〜 16:15

△ [19p-A7-11] FPGAを用いたカスタムハードウェアによるエレクトロマイグレーションのマイクロ秒制御

^○金丸祐真，又吉美佐枝，白樫淳一 (東京農工大院工)

16:15 〜 16:30

[19p-A7-12] 薄膜グラファイトを用いた面状ヒータの発熱温度観察

^○齋藤孝成，又吉美佐枝，白樫淳一 (東京農工大院工)

16:30 〜 16:45

△ [19p-A7-13] 薄膜グラファイト細線の電気伝導特性に対する変形の効果

^○又吉美佐枝，齋藤孝成，白樫淳一 (東京農工大院工)

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[17p-PB1-1~5] 9.3 ナノエレクトロニクス

[17p-PB1-1] 金属梁構造における共振現象のトンネル電流による観察

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[19a-A7-2] 銅フタロシアニン誘導体を添加した銀微粒子単電子トランジスタにおける光応答特性

[19a-A7-3] サブミクロンAl接合を用いたdc-SQUIDの量子干渉パターンに見られる古典的理論との差異

[19a-A7-4] 微小なAl/AlO_x/V接合を用いた超伝導単一電子トランジスタ

▼ [19a-A7-5] Numerical Demonstration of Single-Electron Inverter with Input Discretizer

[19a-A7-6] 粘菌型解探索システムにおける自発的解探索の検討

△ [19a-A7-7] 非対称ゲートGaAsナノワイヤ電子ブラウンラチェット特性の構造依存性

[19p-A7-1~13] 9.3 ナノエレクトロニクス

[19p-A7-1] 単一分子トランジスタにおけるTHzフォトンアシステッドトンネル効果（２）

[19p-A7-2] RF駆動による高速FETセンサ

▲ [19p-A7-3] Fabrication and Characterization of Ge/Si Core/Shell Nanowire Based Devices Towards a Hole Spin Qubit

[19p-A7-4] ナノデバイス構造での不純物相関の電子輸送特性への影響

[19p-A7-5] エレクトロマイグレーションによるCuナノギャップ電極の作製と応用

[19p-A7-6] 金属酸化膜を利用した狭ナノギャップ電極の作製

[19p-A7-7] 金ナノギャップ電極を用いた亜鉛ポルフィリン分子のメモリ動作

[19p-A7-8] ナノ粒子単電子トランジスタにおけるフローティングゲートメモリ効果

[19p-A7-9] Niナノギャップを用いた通電による抵抗スイッチング効果の動作パラメータの検討

[19p-A7-10] エレクトロマイグレーションを用いたAuナノチャネルのコンダクタンス制御とMass TransportのAFM実時間観察

△ [19p-A7-11] FPGAを用いたカスタムハードウェアによるエレクトロマイグレーションのマイクロ秒制御

[19p-A7-12] 薄膜グラファイトを用いた面状ヒータの発熱温度観察

△ [19p-A7-13] 薄膜グラファイト細線の電気伝導特性に対する変形の効果