^〇Phuong Le Quang^1,2，Okano Makoto¹，Yamashita Genki³，Morimoto Tomohide³，Yamada Yasuhiro¹，Nagaoka Akira^1,4，Yoshino Kenji⁴，Nagai Masaya³，Ashida Masaaki³，Kanemitsu Yoshihiko^1,2 (Kyoto University¹，JST-CREST²，Osaka University³，University of Miyazaki⁴)

16:30 〜 16:45

[18p-A28-10] H₂O噴霧処理によるCdS/Cu₂ZnSnS₄接合のバンド構造への影響

^○藤村遼介¹，橋本佳男¹，Than Htay Myo¹，百瀬成空² (信州大工¹，長野高専²)

16:45 〜 17:00

▲ [18p-A28-11] The investigation of Ge substitution effects in Cu₂ZnSnSe₄ Thin film solar cells

^〇Kim Shinho，Kim Kang Min，Tampo Hitoshi，Shibata Hajime，Niki Shigeru (RCPVT, AIST)

17:00 〜 17:15

[18p-A28-12] ワイドギャップZnCuGaSe₂太陽電池の接合界面評価

^○山本輝明¹，根上卓之¹，松原浩司²，仁木栄² (パナソニック¹，産総研²)

17:15 〜 17:30

[18p-A28-13] ゲルマニウム添加した Cu₂SnSe₃ 薄膜の成長及びその太陽電池特性

^○Kangmin Kim，金信浩，反保衆志，柴田肇，仁木栄 (産総研太陽光センター)

17:30 〜 17:45

[18p-A28-14] フェムト秒白色ポンププローブ過渡反射測定によるペロブスカイトCH₃NH₃PbI₃単結晶の光キャリア再結合ダイナミクス

^○山田琢允，山田泰裕，西村秀隆，若宮淳志，金光義彦 (京大化研)

17:45 〜 18:00

[18p-A28-15] ハライド系ペロブスカイト太陽電池材料CH₃NH₃PbI₃薄膜における光キャリア再結合ダイナミクス

^○山田泰裕¹，遠藤克¹，若宮淳志¹，金光義彦^1,2 (京大化研¹，JST-CREST²)

18:00 〜 18:15

[18p-A28-16] CH₃NH₃PbI₃太陽電池における室温アニーリングの影響と発光ダイナミクスとの相関

^○山田泰裕¹，遠藤克¹，若宮淳志¹，金光義彦^1,2 (京大化研¹，JST-CREST²)

一般セッション(口頭講演)

[19a-A28-1~13] 14.5 化合物太陽電池

2014年9月19日(金) 09:00 〜 12:30 A28 (N304)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

09:00 〜 09:15

[19a-A28-1] CIGS薄膜作製の光学的その場観測の検討(Ⅲ)

^○北村優天，高橋敏洋，弓達新治，宮田晃，白方祥 (愛媛大工)

09:15 〜 09:30

[19a-A28-2] フォトルミネッセンス法によるCIGS薄膜の光学的特性評価

^○岸田貴志，吉田正吾，弓達新治，宮田晃，白方祥 (愛媛大院理工)

09:30 〜 09:45

▲ [19a-A28-3] Investigation on Non-radiative Recombination in CIGS Solar Cells through PT-AFM under Various Incident Light Conditions

^〇Warithapol Srivises¹，Takashi Minemoto³，Takuji Takahashi^1,2 (IIS, the University of Tokyo¹，INQIE²，Coll. of Sci. and Eng., Ritsumeikan Univ.³)

09:45 〜 10:00

[19a-A28-4] ケルビンプローブフォース顕微鏡によるCIGS太陽電池の表面電位および容量の評価

^○石井智章¹，峯本高志³，高橋琢二^1,2 (東大生研¹，東大ナノ量子機構²，立命館大理工³)

10:00 〜 10:15

[19a-A28-5] Ga組成の異なるCIGS太陽電池上でのP-KFMによる光励起キャリア再結合プロセスの評価

^○龍顯得¹，峯元高志³，高橋琢二^1,2 (東大生研¹，東大ナノ量子機構²，立命館大理工³)

10:15 〜 10:30

[19a-A28-6] CIGS,CdS/CIGS on ポリマー基板の電子構造の in-situ PES/IPES評価

^○福山貴之¹，吉本翔¹，帖地宏典¹，佐々木一成¹，諏訪原裕貴¹，光永将宏¹，柴田肇²，松原浩司²，仁木栄²，寺田教男^1,2 (鹿児島大¹，産総研²)

休憩10:30～10:45 （10:30 〜 10:45）

10:45 〜 11:00

[19a-A28-7] CIGS太陽電池用Moスパッタ膜の高温製膜

^○寺本真浩¹，清酒泰介¹，深井尋史²，Jehl Zacharie²，杉山睦¹，中田時夫² (東理大¹，東理大総研²)

11:00 〜 11:15

[19a-A28-8] ワイドギャップCIGS薄膜の高温製膜

中木場裕也¹，^○深井尋史²，イエルカオザッカリ²，中田時夫² (青山学院大理工¹，東京理科大総研²)

11:15 〜 11:30

△ [19a-A28-9] Cu(In,Ga)Se₂太陽電池へのCu(In,Ga)₃Se₅導入による界面再結合の抑制

^○（M2）西村昂人¹，平井義晃¹，黒川康良¹，山田明^1,2 (東工大院理工¹，太陽光発電システム研究センター²)

11:30 〜 11:45

[19a-A28-10] ポリイミド薄膜付青板ガラス基板を用いたフレキシブルCIGS太陽電池の作製

^○（M2）Adiyudha Sadono¹，日野将志³，市川満³，山本憲治³，黒川康良¹，小長井誠^1,2，山田明^1,2 (東工大院理工¹，東工大PVREC²，カネカ³)

11:45 〜 12:00

▲ [19a-A28-11] Effect of Surface Sulfurization on MBE-Grown Cu(In_1-x,Ga_x)Se₂ Thin Film

^〇Ishwor Khatri，Isamu Matsuyama，Hiroshi Yamaguchi，Tokio Nakada (Research Institute for Science and Technology, Tokyo University of Science)

12:00 〜 12:15

[19a-A28-12] 非晶質酸化物半導体をバッファー層としたCIGS太陽電池の特性

^○鯉田崇，高橋秀樹，上川由紀子，山田昭政，柴田肇，仁木栄 (産総研)

12:15 〜 12:30

[19a-A28-13] MBEを用いたInSe/MoとIn₂Se₃/Moの薄膜の成長

^○一戸善弘，矢神雅規，三澤顕次 (北科大)

一般セッション(ポスター講演)

[19p-PB3-1~27] 14.5 化合物太陽電池

2014年9月19日(金) 13:30 〜 15:30 PB3 (第2体育館)

ポスター掲示時間13:30～15:30(PB3会場)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

13:30 〜 15:30

[19p-PB3-1] AlGaAs/GaAs太陽電池における表面再結合制御

^○浦部宏之^1,2，倉本真^1,2，中野朋洋^1,2，河原塚篤²，牧本俊樹¹，堀越佳治² (早大理工¹，JST-CREST²)

13:30 〜 15:30

[19p-PB3-2] GaAsおよびInGaP太陽電池を用いた波長スプリッティング低倍率集光型PVシステムの屋外発電特性評価

^○細野藍響¹，石井奏真¹，小川洋平¹，増田祐耶²，岡本保¹，植田譲³，小長井誠² (木更津高専¹，東京工業大²，東京理科大³)

13:30 〜 15:30

[19p-PB3-3] 波長スプリッティングを用いた太陽電池の高効率化

^○滝口雄貴¹，竹井雄太郎²，増田祐耶¹，Porponth Sichanugrist¹，Zacharie Jehl³，中田時夫³，小長井誠^1,4 (東工大院理工¹，東工大工²，東京理科大総研³，東工大PVREC⁴)

13:30 〜 15:30

[19p-PB3-4] 異種材料直接接合によるInGaP/GaAs/Siタンデムセル

^○重川直輝¹，柴麗¹，森本雅史¹，梁剣波¹，鬼塚隆祐²，安居院高明²，十楚博行²，高本達也² (大阪市大工¹，シャープ²)

13:30 〜 15:30

[19p-PB3-5] 多接合太陽電池におけるルミネッセンスカップリングの変換効率に与える影響

^○（P）小倉暁雄，曽我部東馬，岡田至崇 (東大)

13:30 〜 15:30

[19p-PB3-6] GaAs/AlGaAs量子ナノディスク太陽電池の中間バンド内の輸送を考慮したドリフト拡散シミュレーション

^○（P）小倉暁雄，曽我部東馬，岡田至崇 (東大)

13:30 〜 15:30

[19p-PB3-7] InAs/AlGaAs量子ドット太陽電池における電界減衰層の導入効果

^○庄司靖¹，玉置亮¹，Alejandro Datas²，Antonio Martí²，Antonio Luque²，岡田至崇¹ (東大先端研¹，マドリード工科大²)

13:30 〜 15:30

[19p-PB3-8] Al_xGa_1-xAs/GaAs超格子太陽電池における障壁層厚さの効果

^○倉本真^1,2，浦部宏之^1,2，中野朋洋^1,2，河原塚篤^1,2，西永慈郎^1,2，牧本俊樹¹，堀越佳治^1,2 (早大理工¹，JST-CREST²)

13:30 〜 15:30

[19p-PB3-9] 結合量子ドット構造の光学吸収特性のドット形状依存性

^○武藤庸平，笹岡健二，相馬聡文，小川真人 (神大院工)

13:30 〜 15:30

[19p-PB3-10] 中間バンド型太陽電池に向けたGaAs:Nδドープ超格子のMBE成長

^○鈴木智也¹，長田一輝¹，八木修平¹，内藤俊弥²，土方泰斗¹，岡田至崇²，矢口裕之¹ (埼玉大理工¹，東大先端研²)

13:30 〜 15:30

[19p-PB3-11] 電着法によるFeSe薄膜の作製と物性評価

^○長屋智紀，高橋誠，鈴木崇也，田橋正浩 (中部大)

13:30 〜 15:30

[19p-PB3-12] Cu₂SnS₃薄膜とn型半導体におけるバンドアライメントの検討

佐藤宗一，^○鷲見浩貴，史冠男，杉山睦 (東理大理工／総研)

13:30 〜 15:30

[19p-PB3-13] CZTSプリカーサにおける硫化過程のTG/DTA

^○（PC）鷲尾司^1,2，神保和夫¹，片桐裕則^1,2 (長岡高専¹，JST-CREST²)

13:30 〜 15:30

[19p-PB3-14] 固相法によるCu₂ZnSnS₄多結晶成長

^○渡辺裕介¹，三浦宏記¹，沈用球²，脇田和樹¹ (千葉工大¹，阪大院工²)

13:30 〜 15:30

[19p-PB3-15] 化合物プリカーサのセレン化によるCu₂ZnSnSe₄薄膜の作製Ⅱ

中嶋崇喜，湯川翔平，楠本健悟，^○山口利幸 (和歌山高専)

13:30 〜 15:30

[19p-PB3-16] 移動ヒーター法によるCu₂ZnSn(S_x,Se_1-x)₄単結晶成長

^○永岡章^1,4，吉野賢二²，三宅秀人³，野瀬嘉太郎¹ (京大院工¹，宮崎大工²，三重大工³，学振特別研究員PD⁴)

13:30 〜 15:30

[19p-PB3-17] カソードスパッタによるCdS:O薄膜の構造と光学特性

^○中嶋将大¹，淺葉亮¹，鈴木昭典¹，沈用球²，Khuraman Khalilova³，Nazim Mamedov³，Ayaz Bayramov³，Emil Huseynov³，脇田和樹¹ (千葉工大¹，大府大院工²，アゼルバイジャン物理研³)

13:30 〜 15:30

[19p-PB3-18] SnS薄膜の硫化条件がPL特性へ与える影響

^○三上俊太郎，平松昂，杉山睦 (東理大理工／総研)

13:30 〜 15:30

[19p-PB3-19] CdSフリーCIGS及びSnS太陽電池に向けたRFスパッタ法によるアモルファスZn-Sn-Oバッファ層の検討

張紹偉，村上優行，^○中井洋志，杉山睦 (東理大理工／総研)

13:30 〜 15:30

[19p-PB3-20] 電気化学測定を用いたカルコゲナイド薄膜のキャラクタリゼーション

^○池田茂¹，Wilman Septina¹，川崎義人¹，峯元高志²，野瀬嘉太郎³，松村道雄¹ (阪大太陽エネ研セ¹，立命館大理工²，京大工³)

13:30 〜 15:30

[19p-PB3-21] 電気化学インピーダンス法を用いた陽子線照射によるCIGS太陽電池の界面欠陥の検討

坂倉秀徳，近藤良紀，^○横井翼，板垣昌幸，杉山睦 (東理大理工／総研)

13:30 〜 15:30

[19p-PB3-22] CIGS薄膜太陽電池の作製とZn添加の検討

^○吉田正吾，岸田貴志，弓達新治，宮田晃，白方祥 (愛媛大院理工)

13:30 〜 15:30

[19p-PB3-23] スプレー熱分解法による酸化亜鉛薄膜の低温作製とCu(In,Ga)Se₂太陽電池への応用

^○（M1）濱地健太¹，富永姫香¹，持原晶子¹，吉野賢二¹，峯元高志²，Jiang Feng³，池田茂³ (宮崎大¹，立命館大²，阪大³)

13:30 〜 15:30

[19p-PB3-24] PLD法によるCuInS₂エピタキシャル薄膜

^○吉田亮¹，曽柏翰¹，沈用球²，脇田和樹¹ (千葉工大¹，大府大院工²)

13:30 〜 15:30

[19p-PB3-25] MEE法を用いたGaAs (001)基板上へのCIS-CGS低温成長

^○谷口龍希，サティアバマティル，堀越佳治，牧本俊樹 (早大理工)

13:30 〜 15:30

▲ [19p-PB3-26] Optimization of CIGSe bottom cell for spectral splitting device application

^〇Zacharie Jehl，Hirofumi Fukai，Isamu Matsuyama，Tokio Nakada (Tokyo University of Science)

13:30 〜 15:30

[19p-PB3-27] 水溶液中Cu-In合金ナノ粒子合成法の開発と化合物太陽電池塗布形成への応用

^○藤木洋成，横山俊，高橋英志，田路和幸 (東北大環境)

セッション一覧

14．半導体B（探索的材料・物性・デバイス） » 14.5 化合物太陽電池

[17p-A28-1~12] 14.5 化合物太陽電池

△ [17p-A28-3] コロイド量子ドット薄膜におけるマルチエキシトン生成：表面配位子の効果

▼ [17p-A28-5] Analysis of voltage dependence of two-step photocurrent generation in GaAs/AlGaAs quantum dot solar cells using rate equations

△ [17p-A28-6] 量子ドット太陽電池におけるドットへのSiドーピングの影響

△ [17p-A28-7] 中間バンド太陽電池動作へ向けた単一量子ドット中における2段階光吸収による電流増大の観測

△ [17p-A28-8] バリア層の異なるInGaAs量子ドット太陽電池における２段階光吸収

△ [17p-A28-9] InAs/GaAs量子ドット超格子太陽電池における量子準位へのキャリア緩和過程が２段階光吸収に与える影響

[18a-A28-1~11] 14.5 化合物太陽電池

▲ [18a-A28-7] Analysis of Internal-luminescence-quantum-yield of Subcells in InGaP/GaAs/Ge triple-junction solar cells and their influence on energy conversion efficiencies

▲ [18a-A28-8] High Optical Transmissivity in Stacked Multi-Junction Solar Cell

▲ [18a-A28-9] Subcell carrier collection efficiencies in multijunction solar cells determined by time-resolved photoluminescence

[18p-A28-1~16] 14.5 化合物太陽電池

△ [18p-A28-2] 静電噴霧法により作製したFeS2薄膜の前駆体溶液依存性

△ [18p-A28-4] ミストCVD法によるCu2ZnSnS4薄膜の作製とミスト硫化法の効果

▲ [18p-A28-9] Free carrier dynamics in Cu2ZnSnS4 single crystals investigated by optical pump - THz probe spectroscopy

▲ [18p-A28-11] The investigation of Ge substitution effects in Cu2ZnSnSe4 Thin film solar cells

[19a-A28-1~13] 14.5 化合物太陽電池

▲ [19a-A28-3] Investigation on Non-radiative Recombination in CIGS Solar Cells through PT-AFM under Various Incident Light Conditions

△ [19a-A28-9] Cu(In,Ga)Se2太陽電池へのCu(In,Ga)3Se5導入による界面再結合の抑制

▲ [19a-A28-11] Effect of Surface Sulfurization on MBE-Grown Cu(In1-x,Gax)Se2 Thin Film

[19p-PB3-1~27] 14.5 化合物太陽電池

▲ [19p-PB3-26] Optimization of CIGSe bottom cell for spectral splitting device application

△ [18p-A28-2] 静電噴霧法により作製したFeS₂薄膜の前駆体溶液依存性

△ [18p-A28-4] ミストCVD法によるCu₂ZnSnS₄薄膜の作製とミスト硫化法の効果

▲ [18p-A28-9] Free carrier dynamics in Cu₂ZnSnS₄ single crystals investigated by optical pump - THz probe spectroscopy

▲ [18p-A28-11] The investigation of Ge substitution effects in Cu₂ZnSnSe₄ Thin film solar cells

△ [19a-A28-9] Cu(In,Ga)Se₂太陽電池へのCu(In,Ga)₃Se₅導入による界面再結合の抑制

▲ [19a-A28-11] Effect of Surface Sulfurization on MBE-Grown Cu(In_1-x,Ga_x)Se₂ Thin Film