[17p-A17-1~14] 15.6 IV族系化合物

[17p-A17-1] 「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）
N₂O酸化により形成した4H-SiC(0001) MOSFETに対する緩和無しVth変動評価

^○染谷満^1,2，岡本大¹，原田信介¹，石森均¹，高須伸次¹，畠山哲夫¹，武井学²，児島一聡¹，米澤喜幸¹，福田憲司¹ (産総研先進パワエレ¹，富士電機²)

キーワード：SiC,MOSFET,Vth変動