2014年第75回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

15.結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[18a-C5-1~15] 15.4 III-V族窒化物結晶

2014年9月18日(木) 08:30 〜 12:30 C5 (オープンホール)

10:30 〜 10:45

[18a-C5-8] 有機金属気相成長法によるScAlMgO4(0001)基板上(In)GaNエピタキシャル層の作製と評価

○(D)尾崎拓也,船戸充,川上養一 (京大院工)

キーワード:MOVPE,InGaN,ScAlMgO4