[18p-A12-1~16] 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

△ [18p-A12-4] スピンコート法で作製したIGZO薄膜の特性に与える焼成温度と時間の影響

^○陳東京¹，森本貴明¹，福田伸子³，大木義路^1,2 (早大¹，材研²，産総研FLEC³)

キーワード：酸化物半導体薄膜,IGZO