[19p-A17-1~11] 13.2 絶縁膜技術

[19p-A17-1] 「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）
HfO2成膜前アニールにより形成したGaOxパッシベーション層形成によるSub-1.0 nm EOT HfO2/In0.53Ga0.47As nMISFETの電子移動度向上

^○小田穣，入沢寿史，ジェバスワン ウィパコーン，前田辰郎，上牟田雄一，手塚勉 (産総研GNC)

キーワード：InGaAs,mobility,high-k