一般セッション(口頭講演)

[18a-E2-1~5] 17.3 新機能探索・基礎物性評価

2014年3月18日(火) 09:00 〜 10:15 E2 (E102)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:00 〜 09:15

[18a-E2-1] 「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）大面積単層WSe₂薄膜を用いたPNフォトダイオード

^○蒲江¹，清水諒¹，Chang-HsiaoChen²，岩佐義宏^3,4，Lain-jongLi²，竹延大志^1,5 (早大先進¹，Academia Sinica²，東大院工³，理研 CEMS⁴，早大材研⁵)

09:15 〜 09:30

[18a-E2-2] ＭＢＥ法によるＭｏＳｅ₂薄膜のエピタキシャル成長

^○小野満恒二，山本秀樹 (NTT物性研)

09:30 〜 09:45

[18a-E2-3] 単原子層遷移金属ダイカルコゲナイドにおける非線形発光

^○（PC）毛利真一郎¹，周利中¹，壷井佑夏¹，宮内雄平^1,2，TohMinglin³，小鍋哲⁴，江田剛輝³，岡田晋⁴，松田一成¹ (京大エネ研¹，JSTさきがけ²，シンガポール国立大³，筑波大数理⁴)

09:45 〜 10:00

△ [18a-E2-4] 六方晶窒化ホウ素単層膜の水素化と電子・スピン状態評価

^○（P）大伴真名歩¹，山内泰²，圓谷志郎¹，松本吉弘¹，楢本洋¹，境誠司¹ (原子力機構先端基礎¹，物材機構²)

10:00 〜 10:15

[18a-E2-5] 自己検知型AFM式ナノプローバによる遷移金属ダイカルコゲナイド薄片試料の電気特性評価

塩田隆¹，大木敦巳¹，天野佳之¹，二之宮成樹^2,3，森貴洋³，大平恒公³，板谷太郎³，^○安藤淳³ (Wafer Integration Inc.¹，横国大院工²，産総研³)

休憩 10:15〜10:30 （10:15 〜 10:30）

一般セッション(口頭講演)

[19a-E2-1~10] 17.3 新機能探索・基礎物性評価

2014年3月19日(水) 09:00 〜 11:45 E2 (E102)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:00 〜 09:15

▲ [19a-E2-1] First principle study of Edge defects in Graphene Nanoribbon devices

^○ManoharanMuruganathan¹，水田博^1,2 (北陸先端大¹，サザンプトン大²)

09:15 〜 09:30

[19a-E2-2] SiC 上グラフェンナノリボンの偏光ラマン散乱分光

^○関根佳明，日比野浩樹，小栗克弥，影島博之，佐々木健一，赤崎達志，村田祐也 (ＮＴＴ物性基礎研)

09:30 〜 09:45

[19a-E2-3] SiC上グラフェンナノリボンのDバンドラマン分光特性

^○中森弓弦，梶原隆司，AntonVisikovskiy，田中悟 (九大院工)

09:45 〜 10:00

[19a-E2-4] テラヘルツ時間領域分光を用いた大面積グラフェンの基板依存性評価

^○（M1）大城誠¹，佐野佑樹¹，川山巌¹，村上博成¹，JamesAllred²，MinjieWang²，河野淳一郎^1,2，VajtaiRobert²，Pulickel.M.Ajayan²，MasayoshiTonouchi¹ (阪大レーザー研¹，ライス大²)

10:00 〜 10:15

[19a-E2-5] 3次元力場分光による異なる曲率を有するグラフェンナノ構造の力学特性評価

^○芦野慎^1,2，佐々木成朗³，RolandWiesendanger¹ (ハンブルク大¹，金沢工大工²，成蹊大理工³)

休憩 10:15〜10:30 （10:15 〜 10:30）

10:30 〜 10:45

[19a-E2-6] ガス雰囲気下におけるグラフェンコートInPからの放射テラヘルツ波の計測

佐野佑樹¹，MikaTabata²，KhandokerSalek¹，^○川山巌¹，村上博成¹，MinjieWang²，RobertVajtai²，河野淳一郎^1,2，PulickelAjayan²，斗内政吉¹ (阪大レーザー研¹，ライス大²)

10:45 〜 11:00

[19a-E2-7] グラフェンCVD膜表面におけるネマチック液晶の配向と電気光学特性

^○中垣貴充¹，山田憲史²，中村篤志^1,2，天明次郎^1,2，久保野敦史^1,2 (静大院工¹，静大工²)

11:00 〜 11:15

△ [19a-E2-8] 球面収差補正TEMによるグラフェン上の白金単原子の構造解析

^○狩野絵美^1,2,3，竹口雅樹^2,3，藤田淳一^1,2 (筑波大数理¹，TIMS²，NIMS³)

11:15 〜 11:30

△ [19a-E2-9] 鉄イオン吸着によるHOPG表面の電子構造変化の観察

^○（D）大塚美彩子，北村房男 (東工大院総合理工)

11:30 〜 11:45

[19a-E2-10] グラフェンは疎水性か？

^○米丸朋宏^1,2，中村淳^1,2 (電通大院先進理工¹，JST-CREST²)

一般セッション(口頭講演)

[19p-E2-1~9] 17.3 新機能探索・基礎物性評価

2014年3月19日(水) 13:15 〜 15:30 E2 (E102)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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昼食 11:45〜13:15 （11:45 〜 13:15）

13:15 〜 13:30

[19p-E2-1] 高圧O₂アニールによる2層グラフェン上Y₂O₃ゲート絶縁膜の電気的絶縁性の向上

^○金山薫，長汐晃輔，西村知紀，鳥海明 (東大院工)

13:30 〜 13:45

△ [19p-E2-2] 容量測定による2層グラフェンにおけるギャップ内準位の解析

^○金山薫，長汐晃輔，西村知紀，鳥海明 (東大院工)

13:45 〜 14:00

△ [19p-E2-3] 量子キャパシタンスを利用したSiC上エピタキシャルグラフェンの電気伝導分光

^○高瀬恵子，日比野浩樹，村木康二 (ＮＴＴ物性基礎研)

14:00 〜 14:15

[19p-E2-4] ナノイオニクスを基盤とする酸化グラフェンのバンドギャップ制御

土屋敬志，^○寺部一弥，青野正和 (物材機構)

14:15 〜 14:30

△ [19p-E2-5] ALDによるh-BN上へのhigh-k Y₂O₃絶縁膜の直接堆積

^○高橋伸尭¹，長汐晃輔¹，西村知紀¹，鳥海明¹，谷口尚²，渡邊賢司² (東大工¹，NIMS²)

14:30 〜 14:45

△ [19p-E2-6] グラフェンのラマンスペクトルと電気伝導特性の関係

^○友利ひかり^1,2，平出璃音可^1,2，田中宏和^1,2，大塚洋一¹，神田晶申^1,2 (筑波大数理¹，TIMS²)

14:45 〜 15:00

[19p-E2-7] SiC上グラフェンのオゾン処理によるキャリア密度制御

^○（D）呉龍錫，奥村俊夫，中島健志，有月琢哉，井口宗明，青木翔，小林慶祐，松本卓也，永瀬雅夫 (徳島大工)

15:00 〜 15:15

▲ [19p-E2-8] Defect generation in mono- and bi-layer graphene in O₂ annealing

^○劉文軍，長汐晃輔，鳥海明 (東大マテリアル)

15:15 〜 15:30

[19p-E2-9] RFプラズマによるHOPGへの選択的窒素ドーピングと仕事関数の制御

^○赤田圭史，小幡誠司，斉木幸一朗 (東大新領域)

休憩 15:30〜15:45 （15:30 〜 15:45）

一般セッション(口頭講演)

[20a-E18-1~7] 17.3 新機能探索・基礎物性評価

2014年3月20日(木) 10:00 〜 12:00 E18 (E307)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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10:00 〜 10:15

[20a-E18-1] 多層カーボンナノチューブ紡績糸の電気特性及び機械特性の制御

^○林航平¹，佐藤仁²，中西多宇人²，加藤隆²，冨田恭一²，三村秀典¹，中野貴之¹，井上翼¹ (静岡大¹，JNC²)

10:15 〜 10:30

[20a-E18-2] 高度配向CNTシートを用いた新規大歪センサーの開発

^○佐孝佳祐¹，奥宮保郎²，榊原慎吾²，鈴木克典²，中野貴之¹，矢代茂樹¹，島村佳伸¹，三村秀典¹，井上翼¹ (静大院工¹，ヤマハ²)

10:30 〜 10:45

[20a-E18-3] カーボンナノチューブ（MW-CNT）の添加による炭素繊維強化プラスチック（CFRP）低抵抗化のモデル解析

^○下元温¹，小向拓治¹，古田寛²，八田章光² (ニッタ¹，高知工科大²)

10:45 〜 11:00

[20a-E18-4] Li⁺@C₆₀を用いた電気二重層キャパシタの開発

權垠相¹，^○佐藤翔²，長谷川友里²，山田洋一²，佐々木正洋²，小川智之¹，高橋研¹，河地和彦³，境誠司⁴，青柳忍⁵，小松健一郎¹，横尾邦義³，小野昭一³，笠間泰彦³ (東北大¹，筑波大²，イデア³，原研先端基礎研⁴，名古屋市立大⁵)

休憩 11:00〜11:15 （11:00 〜 11:15）

11:15 〜 11:30

[20a-E18-5] LSI 3次元実装のためのナノカーボンによる高放熱デバイスの数値解析

^○（M2）川邊徹平¹，二瓶瑞久²，粟野祐二¹ (慶大院理工¹，GNC産総研²)

11:30 〜 11:45

△ [20a-E18-6] カーボンナノチューブフォレストのラマン散乱－フォレスト構造依存性－

^○石本光輝¹，小路紘史¹，関家一樹¹，古田寛^1,2，八田章光^1,2 (高知工科大¹，高知工科大ナノテク研²)

11:45 〜 12:00

▼ [20a-E18-7] 2層カーボンナノチューブにおけるチューブ間相互作用の解明：光学遷移エネルギーの効果

^○（D）趙思瀚¹，北河友也¹，宮内雄平^2,3，松田一成²，篠原久典¹，北浦良¹ (名大化学¹，京大エネルギー理工学研究所²，JSTさきがけ³)

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17．ナノカーボン » 17.3 新機能探索・基礎物性評価

[18a-E2-1~5] 17.3 新機能探索・基礎物性評価

[18a-E2-1] 「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）大面積単層WSe₂薄膜を用いたPNフォトダイオード

[18a-E2-2] ＭＢＥ法によるＭｏＳｅ₂薄膜のエピタキシャル成長

[18a-E2-3] 単原子層遷移金属ダイカルコゲナイドにおける非線形発光

△ [18a-E2-4] 六方晶窒化ホウ素単層膜の水素化と電子・スピン状態評価

[18a-E2-5] 自己検知型AFM式ナノプローバによる遷移金属ダイカルコゲナイド薄片試料の電気特性評価

[19a-E2-1~10] 17.3 新機能探索・基礎物性評価

▲ [19a-E2-1] First principle study of Edge defects in Graphene Nanoribbon devices

[19a-E2-2] SiC 上グラフェンナノリボンの偏光ラマン散乱分光

[19a-E2-3] SiC上グラフェンナノリボンのDバンドラマン分光特性

[19a-E2-4] テラヘルツ時間領域分光を用いた大面積グラフェンの基板依存性評価

[19a-E2-5] 3次元力場分光による異なる曲率を有するグラフェンナノ構造の力学特性評価

[19a-E2-6] ガス雰囲気下におけるグラフェンコートInPからの放射テラヘルツ波の計測

[19a-E2-7] グラフェンCVD膜表面におけるネマチック液晶の配向と電気光学特性

△ [19a-E2-8] 球面収差補正TEMによるグラフェン上の白金単原子の構造解析

△ [19a-E2-9] 鉄イオン吸着によるHOPG表面の電子構造変化の観察

[19a-E2-10] グラフェンは疎水性か？

[19p-E2-1~9] 17.3 新機能探索・基礎物性評価

[19p-E2-1] 高圧O₂アニールによる2層グラフェン上Y₂O₃ゲート絶縁膜の電気的絶縁性の向上

△ [19p-E2-2] 容量測定による2層グラフェンにおけるギャップ内準位の解析

△ [19p-E2-3] 量子キャパシタンスを利用したSiC上エピタキシャルグラフェンの電気伝導分光

[19p-E2-4] ナノイオニクスを基盤とする酸化グラフェンのバンドギャップ制御

△ [19p-E2-5] ALDによるh-BN上へのhigh-k Y₂O₃絶縁膜の直接堆積

△ [19p-E2-6] グラフェンのラマンスペクトルと電気伝導特性の関係

[19p-E2-7] SiC上グラフェンのオゾン処理によるキャリア密度制御

▲ [19p-E2-8] Defect generation in mono- and bi-layer graphene in O₂ annealing

[19p-E2-9] RFプラズマによるHOPGへの選択的窒素ドーピングと仕事関数の制御

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[20a-E18-1] 多層カーボンナノチューブ紡績糸の電気特性及び機械特性の制御

[20a-E18-2] 高度配向CNTシートを用いた新規大歪センサーの開発

[20a-E18-3] カーボンナノチューブ（MW-CNT）の添加による炭素繊維強化プラスチック（CFRP）低抵抗化のモデル解析

[20a-E18-4] Li⁺@C₆₀を用いた電気二重層キャパシタの開発

[20a-E18-5] LSI 3次元実装のためのナノカーボンによる高放熱デバイスの数値解析

△ [20a-E18-6] カーボンナノチューブフォレストのラマン散乱－フォレスト構造依存性－

▼ [20a-E18-7] 2層カーボンナノチューブにおけるチューブ間相互作用の解明：光学遷移エネルギーの効果

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[18a-E2-1~5] 17.3 新機能探索・基礎物性評価

△ [18a-E2-4] 六方晶窒化ホウ素単層膜の水素化と電子・スピン状態評価

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▲ [19a-E2-1] First principle study of Edge defects in Graphene Nanoribbon devices

△ [19a-E2-8] 球面収差補正TEMによるグラフェン上の白金単原子の構造解析

△ [19a-E2-9] 鉄イオン吸着によるHOPG表面の電子構造変化の観察

[19p-E2-1~9] 17.3 新機能探索・基礎物性評価

△ [19p-E2-2] 容量測定による2層グラフェンにおけるギャップ内準位の解析

△ [19p-E2-3] 量子キャパシタンスを利用したSiC上エピタキシャルグラフェンの電気伝導分光

△ [19p-E2-5] ALDによるh-BN上へのhigh-k Y2O3絶縁膜の直接堆積

△ [19p-E2-6] グラフェンのラマンスペクトルと電気伝導特性の関係

▲ [19p-E2-8] Defect generation in mono- and bi-layer graphene in O2 annealing

[20a-E18-1~7] 17.3 新機能探索・基礎物性評価

△ [20a-E18-6] カーボンナノチューブフォレストのラマン散乱－フォレスト構造依存性－

▼ [20a-E18-7] 2層カーボンナノチューブにおけるチューブ間相互作用の解明：光学遷移エネルギーの効果

△ [19p-E2-5] ALDによるh-BN上へのhigh-k Y₂O₃絶縁膜の直接堆積

▲ [19p-E2-8] Defect generation in mono- and bi-layer graphene in O₂ annealing