2014年第61回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

15．結晶工学 » 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

[17a-E11-6~10] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

2014年3月17日(月) 10:30 〜 11:45 E11 (E205)

11:30 〜 11:45

[17a-E11-10] GaAs(100)傾斜基板上への歪InGaP/InGaP MQWのMOMBE成長

○満原学1，渡邉則之1，横山春喜1，重川直輝2 (NTTフォトニクス研1，阪市大2)

キーワード：InGaP,MQW,Epitaxy