[17p-PG3-1~30] 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

△ [17p-PG3-4] PLD法によるGa₂O₃薄膜結晶成長に及ぼす雰囲気及び温度依存性

^○塩尻大士¹，吉田彬¹，土嶺信男²，小粥啓子³，淀徳男⁴，金子智^5,1，松田晃史¹，吉本護¹ (東工大¹，豊島製作所²，アプコ³，阪工大⁴，神奈川県産技セ⁵)

キーワード：酸化ガリウム,パルスレーザー堆積法,結晶成長