[18a-D8-1~12] 13.2 絶縁膜技術

[18a-D8-12] High-k/SiO₂界面のダイポール層形成メカニズムの考察 －多重極子誘起酸素移動モデルの提案－

^○志村昂亮¹，栗山亮¹，橋口誠広¹，高橋隆介¹，小椋厚志^3,5，佐藤真一^4,5，渡邉孝信^1,2,5 (早大理工¹，早大ナノ機構²，明大理工³，兵庫県立大⁴，ＪＳＴ－ＣＲＥＳＴ⁵)

キーワード：ダイポール