2014年第61回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13.半導体A(シリコン) » 13.2 絶縁膜技術

[18a-D8-1~12] 13.2 絶縁膜技術

2014年3月18日(火) 09:00 〜 12:15 D8 (D215)

10:15 〜 10:30

[18a-D8-6] Effects of biaxially-tensile strain on properties of Si/SiO2 interface states generated by electrical stress

蔡偉立1,2,竹中充1,2,高木信一1,2 (東大院工1,JST CREST2)

キーワード:interface state