2014年第61回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

合同セッションK ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス » 合同セッションK ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[18a-E10-1~10] 合同セッションK ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

2014年3月18日(火) 09:00 〜 11:45 E10 (E204)

09:45 〜 10:00

[18a-E10-4] ZnOホモバッファ層を導入したVドープ透明導電薄膜と圧電膜の特性

森達哉1,安倍大2,千葉博1,奥田修平1,川島知之1,鷲尾勝由1,2 (東北大院工1,東北大工2)

キーワード:V,ZnO,バッファ