[18p-D8-1~15] 13.2 絶縁膜技術

[18p-D8-5] Kr/O₂プラズマ酸化法を用いたGeO₂/Ge構造の作成及び評価

^○中谷友哉，山口まりな，岩崎好考，上野智雄 (東京農工大・工)

キーワード：半導体,Ge