2014年第61回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13.半導体A(シリコン) » 13.2 絶縁膜技術

[18p-D8-1~15] 13.2 絶縁膜技術

2014年3月18日(火) 13:30 〜 17:30 D8 (D215)

14:45 〜 15:00

[18p-D8-6] 酸化プロセスにおけるゲート絶縁膜/Ge界面の界面準位密度を決定づける物理的要因

柴山茂久1,2,加藤公彦1,坂下満男1,竹内和歌奈1,田岡紀之1,中塚理1,財満鎭明1 (名大院工1,学振特別研究員2)

キーワード:界面準位密度,酸化速度,Ge