[18p-D8-1~15] 13.2 絶縁膜技術

△ [18p-D8-6] 酸化プロセスにおけるゲート絶縁膜/Ge界面の界面準位密度を決定づける物理的要因

^○柴山茂久^1,2，加藤公彦¹，坂下満男¹，竹内和歌奈¹，田岡紀之¹，中塚理¹，財満鎭明¹ (名大院工¹，学振特別研究員²)

キーワード：界面準位密度,酸化速度,Ge