[18p-D8-1~15] 13.2 絶縁膜技術

[18p-D8-7] 容量値の時間応答を利用したGe MOS界面における遅い準位の定量的評価

^○田中克久^1,2，張睿^1,2，竹中充^1,2，高木信一^1,2 (東大工¹，JST-CREST²)

キーワード：Ge,slow trap